
氬氣作為半導體制造的特種氣體,憑借其化學惰性和低電離能特性,在多個關鍵工藝環節發揮不可替代的作用:
在光刻、封裝等精密工藝中,氬氣作為保護氣可隔絕空氣中的氧氣和水分,防止硅晶圓表面氧化或污染。例如,在晶圓切割和鍵合過程中,高純度氬氣氛圍能將氧化率降低至0.1%以下,直接影響芯片良率。
離子注入:作為載體氣體與等離子體源,氬氣幫助摻雜劑離子(如硼、磷)精確注入硅片,控制晶體管導電性。其濃度穩定性直接影響離子注入深度偏差(要求≤±0.5%)。
濺射沉積:在金屬布線工藝中,氬等離子體轟擊靶材(如銅、鋁),使金屬原子沉積形成薄膜,氬氣純度需達到99.999%以上,否則會導致薄膜電阻率上升30%以上。
在光刻膠剝離、氣相沉積等真空腔體中,氬氣用于維持特定壓力環境(通常1-10Pa),并作為吹掃氣體清除殘留反應物,其流量波動需控制在±2%以內。
安全挑戰:氬氣無色無味且比空氣重(密度1.78kg/m3),泄漏后易在設備底部積聚,導致局部缺氧(氧含量<19.5%),引發人員窒息風險;同時,工藝中氬氣濃度異常可能導致薄膜沉積速率波動,造成批次性產品缺陷。
1測量范圍:0-100% Vol(泄漏與高濃度純度監測),滿足從管道泄漏檢測到工藝氣體純度分析的全場景需求。
響應速度:T90≤20秒,采用進口長壽命傳感器配合深國安溫濕度補償算法,
采樣方式:內置進口真空泵(流量500ml/min),支持1米伸縮采樣桿,可深入反應腔體內或設備底部等狹小空間檢測。
抗干擾設計:IP67防護等級(便攜式)、Exd II CT6防爆認證(固定式),納米涂層氣室有效抵御光刻膠蒸汽、腐蝕性氣體侵蝕。
多參數集成:可同時檢測氬氣濃度、溫濕度、PM2.5等10項指標,支持VOCs、氧氣等氣體擴展,滿足工藝關聯性分析。
數據追溯:10萬條數據存儲(支持USB/無線導出),配合上位機軟件可生成濃度趨勢曲線,助力工藝優化(如濺射速率與氬氣濃度關聯性分析)。